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摘 要：通过自研的独特薄膜沉积技术——“双轴组合溅射法”，在单个衬底上沿两个方向连续改变生长温度和成分，成功在半导体衬底（硅晶圆）上制作出无铅压电单晶薄膜，同时大幅提升了研发效率，将实验所需探索时间缩短至约1/50。
关键词：无铅压电材料、薄膜沉积法、硅晶圆衬底、振动发电、诱导结构相变
要点
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采用广泛用于电子器件制造的溅射法，在半导体衬底（硅晶圆）上制作出无铅压电单晶薄膜。
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利用一种可在单块衬底上同时评估多种薄膜沉积条件的方法（图1①），实现了材料性能的高效优化。
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使用优化后的材料试制超小型振动发电器件，证实其性能提高了5倍。
图1 研究概述：高效材料探索与半导体衬底上的性能提升
压电材料是一种受力时能产生电能、通电时能改变形状的材料，广泛应用于压力传感器、耳机等设备。据报道，作为一种无铅压电材料备受关注的氧化铋铁（BiFeO